Megnyílhat az út az 1 nanométeres chipek gyártása előtt
Közösen érhetett el jelentős áttörést a félvezetők kialakításában az IBM és a Samsung. A San Franciscó-i IEDM-konferencia első napján a két vállalat konkrétan egy olyan, innovatív chiparchitektúrát mutatott be, amelyen a tranzisztorok függőlegesen egymásra pakolva helyezkednek el.

A jelenlegi processzorok és egylapkás rendszerek (SoC) esetében a tranzisztorok horizontálisan egy szinten terülnek el a szilícium felületén, amelyen keresztül vízszintes irányban cikázik ide-oda az áram. Az új kialakítás már az elektromosság „függőleges irányú” mozgása elől is elhárítja az akadályokat.

A gyártók szerint az új konstrukciónak két előnye is van.

Először is az áttörés lehetővé teszi, hogy számos korlátot legyőzve a Moore-törvényt az 1 nanométeres küszöbön túlra is ki lehessen terjeszteni.

Ennél is fontosabb, hogy állítólag sokkal kevesebb energia vész kárba az alternatív struktúra alkalmazása mellett.

Az ötletgazdák szerint a módosított kialakítással például idővel olyan telefonok gyártása is lehetővé válhat, amelyek akkumulátora egyetlen feltöltéssel akár egy hétig használható marad. Az új konstrukcióval ráadásul a kriptobányászathoz hasonló erőforrásigényes feladatok is sokkal energiahatékonyabbá és ilyen módon környezetbarátabbá tehetők.

Bár a technológia rendkívül ígéretesnek mutatkozik, bevezetésének időpontjáról az ötletgazdák egyelőre nem szolgáltak érdemleges információval.